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PubbliTesi - La Tesi
Crescita localizzata di nanostrutture di silicio per la fabbricazione di dispositivi elettronici
Scheda Sintetica
Autore: Stefano Piersanti
Relatore: Elia Palange
Università: Università degli Studi de L’Aquila
Facoltà: Facoltà di Ingegneria
Corso: Corso di Laurea magistrale in Ingegneria delle telecomunicazioni
Data di Discussione: 14/12/2009
Voto: 110
Disciplina: Nanotecnologia
Lingua: Italiano
Grande Area: Area Scientifica
Descrizione:
I recenti sviluppi delle nanoscienze riguardo la comprensione delle proprietà fisiche delle nanostrutture, come nanofili di semiconduttore, hanno importanti implicazioni nella realizzazione di nuovi dispositivi. Un metodo ottimale per il posizionamento di un largo numero di nanostrutture su circuito non è stato ancora definito ed un paradigma sia bottom-up che top-down potrebbe essere una delle tecniche più promettenti per la fabbricazione di array di nanodispositivi a livello industriale.
Nel presente lavoro verranno presentati i risultati sulle crescite localizzate di nanofili di silicio direttamente su un film di ossido di silicio, attraverso il meccanismo VLS.
Per testare la scalabilità di questa tecnica è stata implementata un’appropriata sequenza di processi.